Macam-macam Memori Dalam Komputer

Macam-macam Memori Dalam Komputer

BIBLIOTIKA - Berikut ini adalah berbagai jenis atau tipe memori yang biasa kita kenal dalam dunia komputer, beserta penjelasannya masing-masing.

DRAM

Chip dari DRAM ini memiliki ukuran yang cukup besar dan memiliki cara kerja yang berkebalikan dengan SRAM. DRAM ini harus disegarkan atau direfresh berulang-kali agar dapat menyimpan data di dalamnya. Susunan memori DRAM ini diatur dalam bentuk baris dan kolom dari sel-sel memori.

DRAM ini dibuat dengan menggunakan proses yang serupa dengan pembuatan prosesor. Setiap bit di dalam DRAM dibentuk dari pola-pola yang membentuk kapasitor dan transistor.

Biayanya pun lebih rendah kalau dibandingkan dengan prosesor karena DRAM dibentuk dari serangkaian struktur sederhana yang berulang-ulang, sehingga tidak ada kerumitan dalam pembuatan sebuah chip DRAM dengan jumlah transistor jutaan buah. DRAM ini menggunakan sekitar setengah dari jumlah transistor pada SRAM.

FPM RAM

Semua tipe memori terbentuk dari serangkaian kolom dan baris. Bit-bit disimpan di dalam setiap sel dari rangkaian itu. RAM standar atau FPM RAM ini memiliki waktu akses 70 ns atau 60 ns. FPM RAM sendiri merupakan singkatakn dari Fast Page Mode DRAM.

Perbaikan dalam kecepatan DRAM ini awalnya datang dari perbaikan proses dan folitografi. Perbaikan secara lebih lanjut dari struktur DRAM ini salah satunya kemudian menghasilkan apa yang disebut sebagai EDO RAM atau Extended Data Out.

EDO RAM

Extended Data Out RAM atau EDO RAM mempunyai beraneka ragam kecepatan, yaitu 70 ns, 60 ns dan juga 50 ns. Memori yang 60 ns merupakan kecepatan yang paling rendah yang biasanya digunakan pada sistem bus 66 MHz, biasanya pada Pentium 100 MHz atau sekitarnya.

Berbeda dengan FPM DRAM, pada jenis EDO RAM ini tidak diperlukan proses menonaktifkan kolom beserta output buffer sebelum melakukan transfer berikutnya. EDO RAM juga dapat menyelesaikan pembacaan memori, yang secara teoritis lebih cepat 27 persen kalau dibandingkan dengan FPM RAM.

Burst EDO RAM

Burst Extended Data Out RAM merupakan perbaikan dari EDO DRAM yang mengandung sebuah pipe-line dan counter burst 2 bit. Pada DRAM yang biasa seperti FPM dan EDO, akses DRAM dilaksanakan dengan melalui pengontrol memori. Pengontrol ini harus menunggu data sampai siap untuk dikirimkan ke inisiator.

Burst EDO RAM ini melakukan eliminasi kondisi semacam di atas itu sehingga ia dapat meningkatkan kinerja sistem sampai menjadi seratus persen dibandingkan dengan FPM dan lima puluh persen lebih baik dibandingkan dengan EDO DRAM.

Hanya saja, Burst EDO RAM ini kurang didukung oleh chipset sehingga menjadi sulit sekali untuk dapat menemukan Burst EDO RAM, dan kondisi itulah yang kemudian memunculkan apa yang disebut sebagai Synchronous DRAM.

SDRAM

Pada Synchronous DRAM atau SDRAM, sebuah burst counter pada chip memungkinkan bagian kolom dari alamat untuk dinaikkan secara cepat, dimana hal tersebut membantu pemulihan informasi pada pembacaan yang berurutan.

Pengontrol memori menyediakan lokasi dan ukuran blok memori yang diperlukan, dan chip SDRAM ini menyuplai bit-bit secepat proses CPU dengan menggunakan clock untuk melakukan sinkronisasi pengaturan waktu chip memori menuju clock sistem CPU.

Fitur utama dari SDRAM ini terletak pada pengiriman data secara off-chip pada kecepatan sampai dengan 100 MHz. Selain itu, secara teoritis juga terdapat perbaikan sekitar 18 persen dibandingkan dengan EDO untuk tipe pentransferan data yang tepat.

PC133 SDRAM

PC133 SDRAM ini memiliki kemampuan untuk melakukan transfer data sampai 1,6 Gbps. Ini tentu saja jauh lebih cepat kalau dibandingkan dengan kecepatan konvensional yang hanya mampu mencapai 800 Mbps. Kecepatan yang sampai dua kali lipat ini tidak menyebabkan perubahan radikal pada rekayasa motherboard.

Pada awal tahun 2000, NEC mulai memproduksi contoh SDRAM 128 MB dan 256 MB yang menggunakan teknologi VCM atau Virtual Channel Memory. Dibuat dengan teknologi 0,18 mikron dan lay out sirkuit yang dioptimalkan dan menurut standar PC133 SDRAM, VCM SDRAM dapat beroperasi pada kecepatan yang tinggi.

Arsitektur VCM meningkatkan efisiensi bus memori dan juga kinerja teknologi DRAM. Caranya adalah dengan menyediakan satu set register statis yang cepat antara inti memori dan pin input-output atau I/O. Dampaknya kemudian adalah akses akan menjadi berkurang dan konsumsi dayanya pun akan juga berkurang.

DDR RAM

Memori DDR RAM atau Double Data Rate RAM adalah merupakan teknologi memori yang dapat menyediakan kinerja yang lebih baik. DDR RAM bekerja dengan cara mengaktifkan operasi output pada chip yang memungkinkan terjadinya kenaikan dan penurunan clock. Akibatnya tentu akan ada pelipatgandaan frekuensi clock tanpa harus meningkatkan frekuensi yang sebenarnya.

Direct RDRAM

Direct RDRAM ini merupakan hasil kolaborasi antara Intel dan sebuah perusahaan penghasil memori yang bernama Rambus dengan tujuan untuk mengembangkan sistem memori yang baru.

Arsitektur Direct RDRAM merupakan arsitektur RAM yang benar-benar baru, dilengkapi dengan bus mastering atau yang dikenal dengan sebutan Rambus Channel Master dan jalus baru (Rambus Channel) antara device-device memori (Rambus Channel Slaves).

Desain dasar dari memori tipe ini berjalan pada kecepatan 600 MHz. Kecepatan ini akan bertambah sampai 700 MHz pada iterasi kedua yang dikenal dengan istilah Concurrent RDRAM.

Kanal dari Direct Rambus meliputi sebuah pengendali dan juga satu atau lebih Direct RDRAM yang terhubung bersama-sama melalui common bus, atau bisa pula dihubungkan dengan prosesor mikro, pengolahan sinyal digital atau DSP, prosesor grafis dan ASIC atau Application Spesific Integrated Circuit. Pengontrol ini diletakkan pada satu sisi dan RDRAM didistribusikan sepanjang bus yang dipararelkan di sisi yang jauh.

Kanal dengan lebar dua byte ini menggunakan sinyal berkecepatan sangat tinggi untuk membawa semua alamat-alamat, data dan juga informasi pengendalian sampai 800 MHz. Teknologi pensinyalan tersebut dikenal sebagai ‘Logika Pensinyalan Rambus’ atau RSL.

Pada kecepatannya kemudian, kanal tunggal dapat memiliki kemampuan mentransfer data pada 1,6 Gbps dan kanal berganda dapat digunakan secara pararel untuk mencapai laju pentransferan sampai menjadi 6,4 Gbps. Arsitektur baru ini memiliki kemampuan untuk beroperasi pada sistem bus berkecepatan sampai 133 MHz.

Tentang memori Rambus

Rambus Inc memang terkenal sebagai salah satu produsen memori yang berkualitas. Setelah Intel menggunakan memori dari perusahaan yang satu ini, secara otomatis semua orang pun bertanya-tanya, siapa atau sesungguhnya Rambus tersebut?

Popularitas Rambus menanjak seiring dengan peluncuran Pentium 4. Banyak orang yang masih belum tahu bahwa kiprah Rambus ini tidak terbatas pada bisnis memori komputer saja, tetapi juga dalam hal komponen televisi digital ataupun game tiga dimensi dengan performa yang tinggi.

Dalam hal memproduksi memori, Rambus memang ada di urutan terdepan dibanding para produsen memori lainnya. Produk-produk memorinya yang terpasang pada perangkat komputer bermerek banyak mendapatkan penghargaan atau award dari majalah-majalah komputer terkemuka semisal PC World ataupun PC Magazine.

Ada cukup banyak perusahaan yang memproduksi SDRAM dengan berdasarkan lisensi dari Rambus. Apa saja sebenarnya keistimewaan dari memori Rambus ini? Antara lain, yang perlu dikedepankan, adalah performanya yang tinggi, dan juga tidak memakan banyak tenaga listrik.

Satu piranti RDRAM 800 MHz menawarkan sepuluh kali bandwith yang lebih baik dibanding memori SDRAM 66 MHz. Dengan chipset i850, terdapat dua saluran memori RDRAM yang memungkinkan dilakukannya transfer data dengan kecepatan 3,2 GB perdetik.

Tersedia paket e-book BIBLIOTIKA. 
Untuk mendapatkan, klik di sini.